* Library of bipolar transistor model parameters
*    既定値
*NE  1.5  低電流のｈｆｅの傾斜　小さくすると傾斜が急になる
*NC  2.0
*Eg  1.11 エネルギーギャップ　Si=1.11  Shot-key=0.69 Ge=0.67
*BF  100  中電流の時のｈｆｅを制御する
*BR  1    飽和電圧を決める(0.1-10)大きくすると飽和電圧は下がる
*ISE 0    低電流のｈｆｅの傾斜 Is の１〜１．５倍で左下がりの傾向が出てくる
*IKF ∞   大電流のｈｆｅの傾斜　半分程度下がる電流の値
*ISC 0    暗電流　Icbo
*IS  1f   ベース飽和電流　BEのダイオード特性
*RB  0    ベース抵抗     ベース電流の立ち上がりを制御する
*         小信号(5-50) 大電流(0.1-1)
*RE  0    エミッタ抵抗   VCE/Ic 飽和電圧を決定する
*RC  0    コレクタ抵抗   小信号(0.5-5.0) 大電流(0.01-0.1)
*VAF ∞   出力インピーダンスに相当する .OP printout on the data sheet.
*         コレクタ電圧／電流の収束点への絶対電圧
*         30-100v
*CJC 0    コレクタ・ベース容量 Cobo
*CJE 0    エミッタ・ベース容量 Cibo　不明なら　1.5*CJC
*TF  0    キャリャの順方向通過時間、蓄積時間、オフ時間
*         Tf = 1/(2 π Ft)　で与えてもよい（原典より） Ft=エミッタ接地hfe(f)
*TR  0    キャリャの逆方向通過時間、オン時間
*KF  0    フリッカー雑音係数　
*AF  1    フリッカー雑音指数